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Die Seminare finden in der Regel während der Vorlesungszeit statt. Zusätzliche, nur intern im MBI verfügbare Informationen zu diesem Seminar finden Sie ggf. hier.
Ort: Raum 3.11, Haus C des Max-Born-Instituts Berlin Adlershof,
Max-Born-Straße 2A, 12489 Berlin. Weitere Informationen über
das Sekretariat des Bereichs C: Tel. 030-63921401
Bitte beachten Sie eventuelle Änderungen, die sich kurzfristig
ergeben können und Anfang jeder Woche bekanntgegeben werden.
Max-Born-Institut, Bereich C, Seminarraum 3.11, 14:00 Uhr
Dr. Richard.J. Cobley
Swansea University, UK
Analysing surface modification of operating semiconductor laser diodes using cross-sectional STM
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Max-Born-Institut, Bereich C, Seminarraum 3.11, 14:00 Uhr
Dr. Jayanta Mukherjee
University of Surrey, UK
Filamentation of Broad Area Diode Laser Emission
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Max-Born-Institut, Bereich C, Seminarraum 3.11, 11:00 Uhr
Dr. Arend G. Dijkstra
Kyoto University
Bathanglement and the nonlinear response
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Max-Born-Institut, Bereich A, Raum 2.01, 11:00 Uhr
Dr. Ismael A. Heisler
Universidade de Sao Paulo, Instituto de Fisica de Sao Carlos
Ultrafast Spectroscopy: Low frequency Raman spectra and reactive excited state dynamics
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Max-Born-Institut, Bereich B, Raum 2.6, 15:00 Uhr
Dr. Luc Bergé
Département de Physique Théorique et Appliquée, CEA-DAM/Ile de France, Bruyères-le-Châtel, France
Kerr filamentation in Brillouin-active materials
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Max-Born-Institut, Bereich C, Seminarraum 3.11, 15:00 Uhr
- 18:00 Uhr
Prof. Dr. Yves Henri Geerts
Université Libre de Bruxelles (ULB), Faculté des Sciences, Laboratoire de Chimie des Polymères
From liquid crystal single domains to single crystal thin films
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Übersicht über weiter zurückliegende
Veranstaltungen
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